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標題: 芯片設備大爆發!-電子头条-EEWORLD電子工程世界 [打印本頁]

作者: admin 時間: 2021-7-19 20:19
標題: 芯片設備大爆發!-電子头条-EEWORLD電子工程世界
從客岁起头缺芯征象，持续到如今，丝绝不見好转。

上個月產生的香港成人頻道,500万芯片被搶、深圳万万芯片被偷事務，奉告咱们事变大有愈演愈烈之势。

各种芯片终端需求延续兴旺，致使晶圆代工各制程產能紧张不足。

海內的晶圆廠，由于產能严重，只能优先知足持久互助火伴，中小客户就算预先付款，也未必能定時拿到货。

為了應答這個环境，各大廠商從3月份起头就纷繁通知布告扩產規划。

台积電、三星規划投資金额均跨越1000亿美元，海內中芯國际、华虹半导體等企業也纷繁加大本錢開支。

缺芯事務，也讓老好心識到芯片產能的首要性，從客岁起头陸续推出跟半导體有關的法案，此中還包含520亿美元的投資規划。

按照SEMI6月份公布的最新陈述，本年全世界将新扶植19座晶圆廠，而来岁将會增长10座。

此中，中國大陸和台灣地域将各新建8個晶圆廠，其次是北美，将新建6個。

一向以来，很多對半导體行業不太领會的朋侪们都有一個紧张的認知误區，那就是感觉中國芯片的重要问题在于制造工艺後進。

好比，看到台积電、三星的5nm芯片已实現量產，正在聚焦3nm制程，就認為中芯國际的14nm、28nm工艺很後進。

是以，會感觉海內确當務之急是赶快成长先辈工艺，尽快向7nm、5nm打击。

而究竟是，中芯國际制造工艺固然能到达14nm，但占收入比重极小，2020年為2%，2021年预期晋升到4%。

28nm占营收的比重也仅為6%，大部門收入仍是依靠成熟工艺，即90~45nm。

比拟于制造工艺後進，海內芯片產能太低才是更大的问题。

造芯片，不是只必要光刻機就好了，還要颠末刻蚀、沉积、离子注入、洗濯、氧化、检测等环節，缺一不成。

今朝中國最不缺光刻機，DUV光刻機可以正常采辦，真正缺的是其他环節被美國独霸的装備。

近来，美國又起头限定28nm装備對我國的出口，诡计在成熟工艺上限定咱们的產能。

除手機芯片對工艺请求较高，其他智能装備必要的芯片，海內企業的成熟工艺根基均可以到达。

好比，汽车芯片、顯示驱動IC、電源辦理芯片、物联網毗连IC、Wi-Fi6等芯片都必要28nm工艺制造。

比起高端芯片，海內更缺成熟工艺，8寸比12寸紧缺，90/55/28nm比7/5nm紧缺。

以等效8英寸產能计较，中芯國际的產能唯一台积電的10%~15%，底子没法知足海內需求。

制造產防脫育髮液,能不足，极大制约海內芯片財產的成长，2020年我國集成電路供應量為227亿美元，需求量為1430亿美元，自给率仅為15.9%。

收支口上，2020年我國集成電路入口3500亿美元，出口1166亿美元，商業逆差高达2334亿美元，入口芯片中，多為45nm以上的成熟工艺。

“自研”固然振奋人心，但其实不能解决當前的產能不足的问题，與其寻求7nm、5nm，不如先做好成熟工艺。

韦尔股分的CIS、PMIC、Driver，兆易立异的NOR、MCU，汇顶科技的指纹辨認，圣邦股分的摹拟IC，卓胜微的射频芯片。

這些公司的芯片都属于12寸成熟工艺（90~45nm），并不是所谓的先辈工艺（14~5nm），但即使如斯，海內也缺少响應的成熟代工產能與其配套。

按照各公司一季報表露信息，中芯國际產能操纵率為98.7%，华虹半导體操纵率為104.2%，继续保持高位状况。

2021年世界半导體大會上，工程院院士吴汉明谈到海內芯片產能问题，就認為海內還必要再扶植8其中芯國际的產能。

今朝，以中芯、长江存储、合肥长鑫為代表的海內廠商都在踊跃扩產，此轮新建晶圆廠和扩產完成後，能很大水平上减缓我國芯片產能问题。

新建晶圆廠的最大投資項是半导體装備，占总投資额的近80%，各大廠扩產項目扶植，會带来大量的装備需求。

在美國出口限定愈来愈强的布景下，半导體装備國產替换的趋向不成拦截。

“國產化”、“去美化”一向是半导體范畴的热點话题，通常触及海內半导體技能冲破、重猛進展的消息，热度老是居高不下。

好比前阵子，電子信息钻研所所长温晓君接管举世網采访的文章就引發了争议。

文中先是暗示國產14nm芯片有望到来岁实現量產，但這一表述较着有问题，由于從质料到装備，14nm工艺来岁全数实現國產化，底子不实际。

随後，举世網就點窜了關于来岁量產14nm國產芯片的话，防止了误解。

实在，對付半导體財產，咱们必要有一個苏醒的熟悉，那就是想实現“國產化”很是坚苦。

彻底“國產化”难度事实有多高呢？

這麼说吧，半导體是一個深度全世界化的財產，理论上没有任何一個國度可以实現“國產化”。

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